基本信息:
- 专利标题： 具有非易失性存储器件的多值逻辑器件
- 申请号：CN201210454111.0 申请日：2012-11-13
- 公开(公告)号：CN103117090B 公开(公告)日：2018-04-20
- 发明人： 金镐正 , 崔仲镐 , 申在光 , 崔贤植
- 申请人： 三星电子株式会社 , 首尔市立大学校产学协力团
- 申请人地址： 韩国京畿道
- 专利权人： 三星电子株式会社,首尔市立大学校产学协力团
- 当前专利权人： 三星电子株式会社,首尔市立大学校产学协力团
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理人： 邵亚丽
- 优先权： 10-2011-0119776 2011.11.16 KR
- 主分类号： G11C16/10
- IPC分类号： G11C16/10 ; G11C16/34
摘要：
本申请提供一种具有改善的可靠性的多值逻辑器件，包括：转换单元，被配置成把多级信号转换为多个部分信号；和多个非易失性存储器件，被配置成分别存储所述多个部分信号，其中，被分别存储在所述多个非易失性存储器件中的所述多个部分信号中的每一个的比特数均小于所述多级信号的比特数。
摘要（英）：
A multi-valued logic device having an improved reliability includes a conversion unit configured to convert a multi level signal into a plurality of partial signals; and a plurality of nonvolatile memory devices configured to individually store the plurality of partial signals, wherein a number of bits of each of the plurality of partial signals individually stored in the plurality of nonvolatile memory devices is less than the number of bits of the multi level signal.
公开/授权文献:
- CN103117090A 具有非易失性存储器件的多值逻辑器件 公开/授权日：2013-05-22
IPC结构图谱:
| G | 物理 |
| --G11 | 信息存储 |
| ----G11C | 静态存储器 |
| ------G11C16/00 | 可擦除可编程序只读存储器 |
| --------G11C16/02 | .电可编程序的 |
| ----------G11C16/06 | ..辅助电路，例如，用于写入存储器的 |
| ------------G11C16/10 | ...编程或数据输入电路 |