基本信息:
- 专利标题： 功率半导体组件、功率模块、功率半导体组件的制造方法和功率模块的制造方法
- 专利标题（英）：Power semiconductor unit, power module, production method for power semiconductor unit and production method for power module
- 申请号：CN201180036516.6 申请日：2011-07-25
- 公开(公告)号：CN103069935A 公开(公告)日：2013-04-24
- 发明人： 露野圆丈 , 宝藏寺裕之 , 石井利昭 , 诹访时人 , 中津欣也 , 德山健 , 楠川顺平
- 申请人： 日立汽车系统株式会社
- 申请人地址： 日本茨城县
- 专利权人： 日立汽车系统株式会社
- 当前专利权人： 日立安斯泰莫株式会社
- 当前专利权人地址： 日本茨城县
- 代理机构： 北京尚诚知识产权代理有限公司
- 代理人： 龙淳
- 优先权： 2010-166705 2010.07.26 JP
- 国际申请： PCT/JP2011/066854 2011.07.25
- 国际公布： WO2012/014843 JA 2012.02.02
- 进入国家日期： 2013-01-25
- 主分类号： H05K7/20
- IPC分类号： H05K7/20 ; B60L1/00 ; B60L3/00 ; B60L7/14 ; B60L11/12 ; B60L11/14 ; H02M7/00
A heat radiating surface (7b, 8b) of an electrode lead frame (7, 8) is in thermal contact with a heat radiating member (301) through an insulation sheet (10) and the heat from a power semiconductor element (5) is radiated to the heat radiating member (thick walled part (301)). Either an exposed region of the heat radiating surface (7b, 8b) or the surface (13b) of a mould member (sealant (13)), which is in contact with said exposed region, protrudes and forms an irregular step. The step profile formed between the surface of the protruding side and the surface of the recessed side of the irregular step is formed with inclined surfaces (7a, 13a) in such a manner that the angle with the surface of the protruding side and the angle with the surface of the recessed side are each obtuse.
公开/授权文献:
- CN103069935B 功率半导体组件、功率模块、功率半导体组件的制造方法和功率模块的制造方法 公开/授权日：2015-07-22
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H05 | 其他类目不包含的电技术 |
| ----H05K | 印刷电路；电设备的外壳或结构零部件；电气元件组件的制造 |
| ------H05K7/00 | 对各种不同类型电设备通用的结构零部件 |
| --------H05K7/20 | .便于冷却、通风或加热的改进 |