基本信息:
- 专利标题： 排气处理系统
- 专利标题（英）：Exhaust gas processing system
- 申请号：CN201180037681.3 申请日：2011-07-29
- 公开(公告)号：CN103052435A 公开(公告)日：2013-04-17
- 发明人： 大内太 , 冈部隆志 , 朝野刚
- 申请人： 吉坤日矿日石能源株式会社
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 吉坤日矿日石能源株式会社
- 当前专利权人： 吉坤日矿日石能源株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 北京林达刘知识产权代理事务所
- 代理人： 刘新宇; 李茂家
- 优先权： 2010-171980 2010.07.30 JP; 2011-078522 2011.03.31 JP
- 国际申请： PCT/JP2011/004329 2011.07.29
- 国际公布： WO2012/014497 JA 2012.02.02
- 进入国家日期： 2013-01-30
- 主分类号： B01D53/46
- IPC分类号： B01D53/46 ; C01B33/04 ; H01L21/205
In the present disclosures, a mixed gas containing monosilane is discharged from a semiconductor production device (1). A pump unit (2) sucks the mixed gas discharged from the semiconductor production device (1), and sends the mixed gas to a later-stage silane gas processing unit (20). Argon gas is used as a purging gas in the pump unit (2). The silane gas processing unit (20) process the mixed gas that contains at least monosilane and argon and that is discharged from the semiconductor production device (1) through the pump unit (2), and isolates, recovers, and recycles the monosilane. A noble gas processing unit (30) isolates, recovers, and recycles the argon from the mixed gas. The argon recovered by the noble gas processing unit (30) is used as the purging gas of the pump unit (2).
IPC结构图谱:
| B01D53/34 | 组优先于B01D53/02至B01D53/32组。 |
| --B01D53/46 | ..除去已知结构的组分 |