基本信息:
- 专利标题： 晶体半导体材料的制备
- 专利标题（英）：Production of a crystalline semiconductor material
- 申请号：CN201180019046.2 申请日：2011-04-11
- 公开(公告)号：CN103038004A 公开(公告)日：2013-04-10
- 发明人： U·克拉特 , C·施密德 , J·哈恩
- 申请人： 施米德硅晶片科技有限责任公司
- 申请人地址： 德国弗罗伊登施塔特
- 专利权人： 施米德硅晶片科技有限责任公司
- 当前专利权人： 施米德硅晶片科技有限责任公司
- 当前专利权人地址： 德国弗罗伊登施塔特
- 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理人： 石克虎; 林森
- 优先权： 102010015354.0 2010.04.13 DE
- 国际申请： PCT/EP2011/055636 2011.04.11
- 国际公布： WO2011/128296 DE 2011.10.20
- 进入国家日期： 2012-10-12
- 主分类号： B22D27/04
- IPC分类号： B22D27/04 ; C01B33/02 ; C30B15/00 ; C30B29/02
摘要：
本发明涉及一种制造晶体半导体材料的方法，其中将半导体材料的颗粒和/或半导体材料的前体化合物供入到具有足够高温的气流中，以便将半导体材料的颗粒由固态转变为液态和/或气态和/或以便热分解前体化合物。在又一步骤中，液态半导体材料从气流中冷凝和/或分离出来并转变成固态，形成单晶或多晶结构。
摘要（英）：
The invention relates to a method for producing a crystalline semiconductor material, wherein particles from the semiconductor material and/or a precursor compound of the semiconductor material are fed into a gas stream which has a sufficiently high temperature, in order to convert the particles of the semiconductor material from the solid into the liquid and/or gaseous state and/or in order to thermally decompose the precursor compound. In a further step, liquid semiconductor material is condensed and/or separated out of the gas stream and converted into a solid state to form monocrystalline or polycrystalline crystal structures.
公开/授权文献:
- CN103038004B 晶体半导体材料的制备 公开/授权日：2016-01-06
IPC结构图谱:
| B | 作业；运输 |
| --B22 | 铸造；粉末冶金 |
| ----B22D | 金属铸造；用相同工艺或设备的其他物质的铸造 |
| ------B22D27/00 | 当金属熔融或延伸时，在铸型中处理金属 |
| --------B22D27/04 | .影响金属温度，如用加热或冷却铸型 |