基本信息:
- 专利标题： 固态成像装置和其制造方法以及成像单元
- 申请号：CN201210394766.3 申请日：2012-09-28
- 公开(公告)号：CN103037174B 公开(公告)日：2018-08-28
- 发明人： 北野良昭
- 申请人： 索尼半导体解决方案公司
- 申请人地址： 日本神奈川县
- 专利权人： 索尼半导体解决方案公司
- 当前专利权人： 索尼半导体解决方案公司
- 当前专利权人地址： 日本神奈川县
- 代理机构： 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司
- 代理人： 陈桂香; 褚海英
- 优先权： 2011-222743 2011.10.07 JP
- 主分类号： H01L27/146
- IPC分类号： H01L27/146 ; H01L27/148
摘要：
本发明公开一种固态成像装置和其制造方法以及成像单元。固态成像装置包括：感光单元，其通过执行入射光的光电转换而产生信号电荷；在感光单元附近的导电材料；第一遮光膜，其形成以覆盖导电材料的至少一部分；以及第二遮光膜，其形成在第一遮光膜的表面的一部分或者全部上。
摘要（英）：
A solid-state imaging device includes a light sensing unit generating a signal charge by performing a photoelectric conversion of an incident light; a conductive material in the vicinity of the light sensing unit; a first light-shielding film formed to cover at least a portion of the conductive material; and a second light-shielding film formed on a part of or all of a surface of the first light-shielding film.
公开/授权文献:
- CN103037174A 固态成像装置和其制造方法以及成像单元 公开/授权日：2013-04-10
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/144 | ..由辐射控制的器件 |
| ------------H01L27/146 | ...图像结构 |