基本信息:
- 专利标题： 一种硅基薄膜电池PIN各层性能的评价方法
- 专利标题（英）：Method for evaluating performances of PIN layers of silicon-based thin film cell
- 申请号：CN201210561783.1 申请日：2012-12-22
- 公开(公告)号：CN103018652A 公开(公告)日：2013-04-03
- 发明人： 马立云 , 崔介东 , 王芸
- 申请人： 蚌埠玻璃工业设计研究院 , 中国建材国际工程集团有限公司
- 申请人地址： 安徽省蚌埠市禹会区涂山路1047号
- 专利权人： 蚌埠玻璃工业设计研究院,中国建材国际工程集团有限公司
- 当前专利权人： 蚌埠玻璃工业设计研究院,中国建材国际工程集团有限公司
- 当前专利权人地址： 安徽省蚌埠市禹会区涂山路1047号
- 代理机构： 安徽省蚌埠博源专利商标事务所
- 代理人： 倪波
- 主分类号： G01R31/26
- IPC分类号： G01R31/26 ; G01B21/08
The invention discloses a method for evaluating performances of PIN layers of a silicon-based thin film cell. The performances of the P, I and N layers of the silicon-based thin film cell are qualitatively judges by testing quantum efficiency values of a cell device under different bias voltage conditions and comparing the quantum efficiency values with quantum efficiency values of a standard cell device. The quantum efficiency test is different from conventional quantum efficiency test, the performances of a unijunction PIN amorphous silicon (or microcrystalline silicon) cell can be effectively, rapidly and accurately evaluated by testing under the different bias voltage conditions, crucial reasons for low performances of the cell device are found, the cell device is improved in a targeted manner, numerous test projects in existing conventional evaluation are decreased, time in industrial production is saved, and the method is an ideal evaluation method in industrial production process.
公开/授权文献:
- CN103018652B 一种硅基薄膜电池PIN各层性能的评价方法 公开/授权日：2014-09-24
IPC结构图谱:
| G | 物理 |
| --G01 | 测量；测试 |
| ----G01R | 测量电变量；测量磁变量（通过转换成电变量对任何种类的物理变量进行测量参见G01类名下的 |
| ------G01R31/00 | 电性能的测试装置；电故障的探测装置；以所进行的测试在其他位置未提供为特征的电测试装置 |
| --------G01R31/26 | .单个半导体器件的测试 |