基本信息:
- 专利标题： 控制沟道厚度的FinFET设计
- 专利标题（英）：FinFET design controlling channel thickness
- 申请号：CN201210237611.9 申请日：2012-07-09
- 公开(公告)号：CN102983165A 公开(公告)日：2013-03-20
- 发明人： 吴志强 , 后藤贤一 , 谢文兴 , 何炯煦 , 王志庆 , 黄靖方
- 申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹
- 专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹
- 代理机构： 北京德恒律治知识产权代理有限公司
- 代理人： 章社杲; 孙征
- 优先权： 61/531,488 2011.09.06 US; 13/335,689 2011.12.22 US
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L29/04 ; H01L29/10 ; H01L21/336
摘要：
本发明公开了用于控制沟道厚度和阻止因小部件而产生变化的系统与方法。一种实施例包括在衬底上形成凸起的鳍状件和在所述鳍状件上方形成覆盖层。所述沟道载流子被重掺杂的鳍状件排斥，但是限制在所述覆盖层内。这形成允许对栅极更大静电控制的薄沟道。本发明还公开了一种控制沟道厚度的FinFET设计。
摘要（英）：
The invention discloses a system and a method for controlling the channel thickness and preventing variations due to formation of small features. An embodiment comprises a fin raised above the substrate and a capping layer is formed over the fin. The channel carriers are repelled from the heavily doped fin and confined within the capping layer. This forms a thin-channel that allows greater electrostatic control of the gate. The invention also discloses a FinFET design controlling channel thickness.
公开/授权文献:
- CN102983165B 控制沟道厚度的FinFET设计 公开/授权日：2015-06-10
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |