基本信息:
- 专利标题： 具有超薄封装的高性能功率晶体管
- 申请号：CN201210374536.0 申请日：2012-08-21
- 公开(公告)号：CN102983114B 公开(公告)日：2018-06-05
- 发明人： J·A·和布搜摩 , O·J·洛佩兹 , J·A·诺奇尔
- 申请人： 德克萨斯仪器股份有限公司
- 申请人地址： 美国德克萨斯州
- 专利权人： 德克萨斯仪器股份有限公司
- 当前专利权人： 德克萨斯仪器股份有限公司
- 当前专利权人地址： 美国德克萨斯州
- 代理机构： 北京纪凯知识产权代理有限公司
- 代理人： 赵蓉民
- 优先权： 13/214,801 2011.08.22 US
- 主分类号： H01L23/495
- IPC分类号： H01L23/495 ; H01L29/78
摘要：
场效应晶体管封装包含具有第一线性厚度(150a)的引线框架和减小厚度的引线框架垫(151)；场效应晶体管芯片(140)的第一端附接到垫以及第二和第三端远离垫；第二线性厚度(1l0a)的金属板(110)连接第二晶体管端至封装端；第三线性厚度(112a)的金属板(112)连接第三晶体管端至封装端；第一线性厚度(约0.125mm)和第二线性厚度(约0.125mm)的总和加上附接材料(约0.05mm)构成封装厚度(约0.3mm)。
摘要（英）：
A field-effect transistor package includes a leadframe with a first linear thickness (150a) and a leadframe pad (151) of a reduced thickness; a first terminal of a field-effect transistor chip (140) attached to the pad and a second and a third terminal remote from the pad; a metal sheet (110) of a second linear thickness (110a) connecting the second transistor terminal to a package terminal; a metal sheet (112) of a third linear thickness (112a) connecting the third transistor terminal to a package terminal; the sum of the first linear thickness (about 0.125 mm) and the second linear thickness (about 0.125 mm) plus attach material (about 0.05 mm) comprising the package thickness (about 0.3 mm).
公开/授权文献:
- CN102983114A 具有超薄封装的高性能功率晶体管 公开/授权日：2013-03-20
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/34 | .冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置 |
| ----------H01L23/482 | ..由不可拆卸地施加到半导体本体上的内引线组成的 |
| ------------H01L23/495 | ...引线框架的 |