基本信息:
- 专利标题： 隔离的晶体管和二极管、用于半导体管芯的隔离和终端结构
- 专利标题（英）：Isolated transistors and diodes and isolation and termination structures for semiconductor die
- 申请号：CN201210359000.1 申请日：2009-02-25
- 公开(公告)号：CN102867843B 公开(公告)日：2015-05-20
- 发明人： 唐纳德.R.迪斯尼 , 理查德.K.威廉斯
- 申请人： 先进模拟科技公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 先进模拟科技公司
- 当前专利权人： 先进模拟科技公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理人： 赵国荣
- 优先权： 12/072,615 2008.02.27 US
- 分案原申请号： 2009801150268 2009.02.25
- 主分类号： H01L29/06
- IPC分类号： H01L29/06 ; H01L29/10 ; H01L29/861
摘要：
各种集成电路器件，尤其是晶体管，形成在包括底隔离区域和从所述衬底的表面延伸到该底隔离区域的沟槽的隔离结构内部。该沟槽可由电介质材料填充或可以具有在中心部分的导电材料以及装衬该沟槽的壁的电介质材料。通过延伸该底隔离区域超出沟槽、采用保护环以及形成漂移区的用于终端所述隔离结构的各种技术被描述。
摘要（英）：
Various integrated circuit devices, in particular a transistor, are formed inside an isolation structure which includes a floor isolation region and a trench extending from the surface of the substrate to the floor isolation region. The trench may be filled with a dielectric material or may have a conductive material in a central portion with a dielectric layer lining the walls of the trench. Various techniques for terminating the isolation structure by extending the floor isolation region beyond the trench, using a guard ring, and a forming a drift region are described.
公开/授权文献:
- CN102867843A 隔离的晶体管和二极管、用于半导体管芯的隔离和终端结构 公开/授权日：2013-01-09