![电子材料的清洗方法和清洗系统](/CN/2011/8/2/images/201180013890.jpg)
基本信息:
- 专利标题: 电子材料的清洗方法和清洗系统
- 申请号:CN201180013890.4 申请日:2011-03-02
- 公开(公告)号:CN102844845B 公开(公告)日:2015-12-02
- 发明人: 山川晴义 , 床嶋裕人
- 申请人: 栗田工业株式会社
- 申请人地址: 日本国东京都
- 专利权人: 栗田工业株式会社
- 当前专利权人: 栗田工业株式会社
- 当前专利权人地址: 日本国东京都
- 代理机构: 隆天知识产权代理有限公司
- 代理人: 崔香丹; 张永康
- 优先权: 2010-057246 2010.03.15 JP
- 国际申请: PCT/JP2011/054739 2011.03.02
- 国际公布: WO2011/114885 JA 2011.09.22
- 进入国家日期: 2012-09-14
- 主分类号: H01L21/304
- IPC分类号: H01L21/304 ; B08B3/08 ; B08B3/10 ; G03F7/42 ; H01L21/027
摘要:
一种电子材料清洗系统具备试剂清洗设备(1)、湿式清洗设备(2)和单片式清洗装置(3)。试剂清洗设备(1)具有功能性试剂蓄存槽(6)和介由浓硫酸电解管道(7)与该功能性试剂蓄存槽(6)连接的电解反应装置(8)。该功能性试剂蓄存槽(6)介由功能性试剂供给管道(10)可将功能性试剂(W1)供给于单片式清洗装置(3)。湿式清洗设备(2)具备纯水的供给管道(21)、与氮气源连通的氮气供给管道(22)、以及这些纯水供给管道(21)和氮气供给管道(22)分别连接于其上的内部混合型二流体喷嘴(23)。从二流体喷嘴(23)的前端可喷射由氮气和超纯水形成的液滴(W2)。根据所述电子材料清洗系统,可以缩短电子材料的抗蚀剂的剥离处理所需的时间,进而通过抗蚀剂剥离后的湿式清洗,可以在短时间内确实地除去抗蚀剂残渣。
公开/授权文献:
- CN102844845A 电子材料的清洗方法和清洗系统 公开/授权日:2012-12-26
IPC结构图谱:
H | 电学 |
--H01 | 基本电气元件 |
----H01L | 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件 |
------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
--------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料 |
--------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的,例如腐蚀、抛光、切割 |
------------------H01L21/304 | ......机械处理,例如研磨、抛光、切割 |