基本信息:
- 专利标题： 用于制作化学气相沉积生长多晶硅的硅芯专用切割设备及加工方法
- 专利标题（英）：Special cutting apparatus for manufacturing silicon core of chemical vapor deposition growth polycrystalline silicon and machining method of silicon core
- 申请号：CN201210271510.3 申请日：2012-07-31
- 公开(公告)号：CN102837370B 公开(公告)日：2015-01-07
- 发明人： 李昆 , 亢若谷 , 马启坤 , 王云坤 , 史冰川 , 和金生 , 吕维基 , 罗以顺 , 段鑫 , 黄磊
- 申请人： 昆明冶研新材料股份有限公司
- 申请人地址： 云南省曲靖市经济技术开发区南海新区
- 专利权人： 昆明冶研新材料股份有限公司
- 当前专利权人： 云南冶金云芯硅材股份有限公司
- 当前专利权人地址： 云南省曲靖市经济技术开发区南海新区
- 代理机构： 昆明今威专利商标代理有限公司
- 代理人： 赛晓刚
- 主分类号： B28D5/04
- IPC分类号： B28D5/04 ; B28D7/02
摘要：
本发明涉及的一种用于制作化学气相反应沉积生长多晶硅的硅芯专用金刚石外圆切割机及其加工方法。属新能源及新材料技术领域。本发明将多晶硅棒料安装固定在金刚石外圆切割机中，同时对多根多晶硅棒料进行切割制取硅芯，先将多晶硅棒料切割成多晶硅片料，再将多晶硅片料切割成条状硅芯，切割完毕，可以同时得到多根硅芯。采用本发明提供的硅芯制备方法其生产效率明显高于其它制备方法，且在整个切割过程中，所用切割冷却液为自来水或脱盐水，不需要专门配制切割浆料，将切割冷却液经简单处理后进行循环使用，整个生产过程产生的废物仅为硅渣，不会对环境产生不利影响。
公开/授权文献:
- CN102837370A 用于制作化学气相沉积生长多晶硅的硅芯专用切割设备及加工方法 公开/授权日：2012-12-26
IPC结构图谱:
| B | 作业；运输 |
| --B28 | 加工水泥、黏土或石料 |
| ----B28D | 加工石头或类似石头的材料 |
| ------B28D5/00 | 宝石、宝石饰物、结晶体的精细加工，例如半导体材料的精加工；所用设备 |
| --------B28D5/04 | .用非旋转式工具的，例如往复式工具 |