基本信息:
- 专利标题： 从单个基底基板形成两个器件晶片的方法
- 申请号：CN201210197083.9 申请日：2012-06-14
- 公开(公告)号：CN102832104B 公开(公告)日：2015-11-18
- 发明人： S.W.比德尔 , K.E.福格尔 , P.A.劳罗 , D.K.萨达纳 , D.沙赫杰迪
- 申请人： 国际商业机器公司
- 申请人地址： 美国纽约阿芒克
- 专利权人： 国际商业机器公司
- 当前专利权人： 格芯美国第二有限责任公司
- 当前专利权人地址： 美国纽约阿芒克
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理人： 邱军
- 优先权： 13/159,877 2011.06.14 US
- 主分类号： H01L21/02
- IPC分类号： H01L21/02 ; H01L31/18
摘要：
本公开提供从单个基底基板开始形成两个器件晶片的方法。该方法包括首先提供包括基底基板和多个器件层的结构，器件层位于基底基板的最上表面上和最下表面上，或器件层位于基底基板的最上表面内和最下表面内。基底基板可具有双侧抛光表面。包括多个器件层的结构在器件层之间的基底基板内的区域中分裂。该分裂提供第一器件晶片和第二器件晶片，第一器件晶片包括基底基板的一部分和器件层之一，第二器件晶片包括基底基板的另一部分和另外的器件层。
公开/授权文献:
- CN102832104A 从单个基底基板形成两个器件晶片的方法 公开/授权日：2012-12-19
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |