基本信息:
- 专利标题： 半导体装置
- 专利标题（英）：Semiconductor device
- 申请号：CN201180017302.4 申请日：2011-03-30
- 公开(公告)号：CN102822977A 公开(公告)日：2012-12-12
- 发明人： 奥村启树 , 三浦峰生 , 中野佑纪 , 川本典明 , 安部英俊
- 申请人： 罗姆股份有限公司
- 申请人地址： 日本京都市
- 专利权人： 罗姆股份有限公司
- 当前专利权人： 罗姆股份有限公司
- 当前专利权人地址： 日本京都市
- 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理人： 何欣亭; 王忠忠
- 优先权： 2010-078280 2010.03.30 JP
- 国际申请： PCT/JP2011/058058 2011.03.30
- 国际公布： WO2011/122670 JA 2011.10.06
- 进入国家日期： 2012-09-29
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L21/336
The disclosed semiconductor device contains: a semiconductor layer having a first conductivity type; a plurality of body regions that have a second conductivity type and that are formed at intervals at the surface layer of the aforementioned semiconductor layer; a source region that has the first conductivity type and that is formed at the surface layer of each of the aforementioned body regions; a gate insulating film that is provided on the aforementioned semiconductor layer and that straddles between adjacent of the aforementioned body regions; a gate electrode that is provided on the aforementioned gate insulating film and that faces the aforementioned body regions; and an electric field moderating section that is provided between adjacent of the aforementioned body regions and that moderates the electric field arising at the aforementioned gate insulating film.
公开/授权文献:
- CN102822977B 半导体装置 公开/授权日：2015-11-25
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |