基本信息:
- 专利标题： 耐酸蚀刻的保护涂层
- 申请号：CN201080026458.4 申请日：2010-03-19
- 公开(公告)号：CN102804347B 公开(公告)日：2015-12-02
- 发明人： 唐廷基 , G·徐 , X-F·钟 , 洪文斌 , T·D·弗莱 , K·耶斯 , R·K·特里舒尔
- 申请人： 布鲁尔科技公司
- 申请人地址： 美国密苏里州
- 专利权人： 布鲁尔科技公司
- 当前专利权人： 布鲁尔科技公司
- 当前专利权人地址： 美国密苏里州
- 代理机构： 上海专利商标事务所有限公司
- 代理人： 王颖
- 优先权： 61/169,604 2009.04.15 US; 12/718,516 2010.03.05 US
- 国际申请： PCT/US2010/027937 2010.03.19
- 国际公布： WO2011/022087 EN 2011.02.24
- 进入国家日期： 2011-12-14
- 主分类号： H01L21/312
- IPC分类号： H01L21/312
摘要：
本发明提供了新组合物以及在半导体和MEMS设备生产过程中使用这些组合物作为保护层的方法。所述组合物包含分散或溶解在溶剂体系中的环烯烃共聚物，可用于形成在酸蚀刻或其它加工和操作过程中保护基片的层。保护层可以是光敏或非光敏的，可与保护层下方的底漆层一起使用，或者不存在底漆层。优选的底漆层包含在溶剂体系中的碱性聚合物。
公开/授权文献:
- CN102804347A 耐酸蚀刻的保护涂层 公开/授权日：2012-11-28
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/312 | ......有机层，例如光刻胶 |