基本信息:
- 专利标题： 掺杂的石墨烯电子材料
- 专利标题（英）：Doped graphene electronic materials
- 申请号：CN201180014902.5 申请日：2011-02-02
- 公开(公告)号：CN102804285A 公开(公告)日：2012-11-28
- 发明人： 杰弗里·A·鲍尔斯 , 罗德里克·A·海德 , 穆里尔·Y·伊什克瓦 , 乔丁·T·卡勒 , 克拉伦斯·T·特格林 , 丰国达志 , 理查德·N·扎尔
- 申请人： 希尔莱特有限责任公司
- 申请人地址： 美国华盛顿州
- 专利权人： 希尔莱特有限责任公司
- 当前专利权人： 希尔莱特有限责任公司
- 当前专利权人地址： 美国华盛顿州
- 代理机构： 北京安信方达知识产权代理有限公司
- 代理人： 苗源; 王漪
- 优先权： 12/658,168 2010.02.02 US
- 国际申请： PCT/US2011/000187 2011.02.02
- 国际公布： WO2011/097014 EN 2011.08.11
- 进入国家日期： 2012-09-20
- 主分类号： H01B5/00
- IPC分类号： H01B5/00
摘要：
用一种或多种官能团对一个石墨烯衬底进行掺杂，以形成一种电子装置。
摘要（英）：
A graphene substrate is doped with one or more functional groups to form an electronic device.
公开/授权文献:
- CN102804285B 掺杂的石墨烯电子材料 公开/授权日：2016-06-01
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01B | 电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择 |
| ------H01B5/00 | 按形状区分的非绝缘导体或导电物体 |