基本信息:
- 专利标题： 功率二极管器件及其制备方法
- 专利标题（英）：Power diode device and preparation method thereof
- 申请号：CN201210283892.1 申请日：2012-08-10
- 公开(公告)号：CN102790097B 公开(公告)日：2014-08-06
- 发明人： 朱廷刚
- 申请人： 江苏能华微电子科技发展有限公司
- 申请人地址： 江苏省苏州市张家港市国泰北路1号科技创业园
- 专利权人： 江苏能华微电子科技发展有限公司
- 当前专利权人： 江苏能华微电子科技发展有限公司
- 当前专利权人地址： 江苏省苏州市张家港市国泰北路1号科技创业园
- 代理机构： 苏州创元专利商标事务所有限公司
- 代理人： 孙仿卫; 李艳
- 主分类号： H01L29/872
- IPC分类号： H01L29/872 ; H01L29/06 ; H01L21/329
摘要：
本发明公开了一种功率二极管器件，它包括相层叠设置的衬底、缓冲层、外延层、环形场板、形成肖特基结的金属层，外延层在其与环形场板相邻的一端上具有多个场限环，环形场板上形成有多个呈环形的凹凸部，环形场板的凸部的最高点自该功率部件的内侧向外侧逐渐升高，环形场板的最低点自该功率部件的内侧向外侧逐渐升高，最靠近所述功率二极管器件中心的环形场板向外延层的投影位于最靠近中心的场限环内，金属层覆盖任一个环形场板的凹部，外延层与阴极相电连，金属层与阳极相连。
公开/授权文献:
- CN102790097A 功率二极管器件及其制备方法 公开/授权日：2012-11-21
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/86 | ..只能通过对一个或多个通有待整流，放大、振荡或切换的电流的电极供给电流的变化或施加电位的变化方可进行控制的 |
| ------------H01L29/861 | ...二极管 |
| --------------H01L29/872 | ....肖特基二极管 |