基本信息:
- 专利标题： 一种Co掺杂CdSe量子点敏化TiO2纳米棒光电极及其制备方法
- 专利标题（英）：Co-doped CdSe quantum-dot sensitized TiO2 nanorod photoelectrode and preparation method of TiO2 nanorod photoelectrode
- 申请号：CN201210234979.X 申请日：2012-07-09
- 公开(公告)号：CN102760580B 公开(公告)日：2015-06-17
- 发明人： 王浩 , 汪宝元 , 胡云霞 , 王喜娜 , 张军 , 刘荣 , 王甜 , 丁浩 , 许扬
- 申请人： 湖北大学
- 申请人地址： 湖北省武汉市武昌区学院路11号
- 专利权人： 湖北大学
- 当前专利权人： 湖北大学
- 当前专利权人地址： 湖北省武汉市武昌区学院路11号
- 代理机构： 武汉河山金堂专利事务所
- 代理人： 丁齐旭
- 主分类号： H01G9/04
- IPC分类号： H01G9/04 ; H01G9/042 ; H01G9/20
摘要：
本发明公开了一种制备Co掺杂CdSe量子点敏化TiO2纳米棒阵列光电极的制备方法，通过改变生长及制备工艺参数，实现TiO2单晶纳米棒阵列在FTO玻璃上的定向生长，利用电化学沉积的方法在TiO2单晶纳米棒阵列上完成Co掺杂CdSe量子点的沉积。Co离子的掺入量为1%～4%（重量百分比），Co对CdSe的掺杂一方面可以调节其带隙，使其在可见光范围内的吸收增强，吸收范围拓宽，进而提高了光利用效率，另一方面Co的掺杂可以增加其载流子浓度，提高电子的传输速率，增加电极收集电子的效率，从而提高光电流密度。在沉积电量为0.9C的时候可以获得高达13.4mA/cm2的饱和光电流，该饱和光电流与没有掺杂的CdSe敏化TiO2纳米棒电极的最大光电流（8.57mA/cm2）提高了56%。
公开/授权文献:
- CN102760580A 一种Co掺杂CdSe量子点敏化TiO2纳米棒光电极及其制备方法 公开/授权日：2012-10-31