基本信息:
- 专利标题： 集成互补金属氧化物半导体-微型机电系统器件的制造方法
- 申请号：CN201210248287.0 申请日：2010-04-22
- 公开(公告)号：CN102757015B 公开(公告)日：2015-08-12
- 发明人： 梁凯智 , 吴华书 , 彭利群 , 黃琮诚 , 刘醇明 , 沈育民 , 张华伦
- 申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹
- 专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹
- 代理机构： 北京德恒律治知识产权代理有限公司
- 代理人： 章社杲; 孙征
- 优先权： 12/429,305 2009.04.24 US
- 分案原申请号： 2010101538600 2010.04.22
- 主分类号： B81C1/00
- IPC分类号： B81C1/00
摘要：
本发明提供了一种集成互补金属氧化物半导体-微型机电系统器件的制造方法，包括提供具有正面和背面的衬底。在所述衬底上形成有CMOS器件。MEMS器件也形成在所述衬底上。形成MEMS器件包括在所述衬底的正面上形成MEMS机械结构。然后释放所述MEMS机械结构。保护层形成在所述衬底的正面。保护层设置在释放的MEMS机械结构上(例如保护MEMS结构)。在将保护层设置到所述MEMS机械结构上的同时处理所述衬底的背面。
公开/授权文献:
- CN102757015A 集成互补金属氧化物半导体-微型机电系统器件的制造方法 公开/授权日：2012-10-31
IPC结构图谱:
| B | 作业；运输 |
| --B81 | 微观结构技术 |
| ----B81C | 专门适用于制造或处理微观结构的装置或系统的方法或设备 |
| ------B81C1/00 | 在基片内或其上制造或处理的装置或系统 |