基本信息:
- 专利标题： 研磨方法、压电振动片的制造方法、压电振动器、振荡器、电子设备及电波钟表
- 专利标题（英）：Polishing method, manufacturing method of piezoelectric vibrating piece, piezoelectric vibrator, oscillator, electronic apparatus and radio-controlled timepiece
- 申请号：CN201210100319.2 申请日：2012-03-28
- 公开(公告)号：CN102723924A 公开(公告)日：2012-10-10
- 发明人： 藤平洋一
- 申请人： 精工电子有限公司
- 申请人地址： 日本千叶县千叶市
- 专利权人： 精工电子有限公司
- 当前专利权人： 精工电子有限公司
- 当前专利权人地址： 日本千叶县千叶市
- 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理人： 何欣亭; 王忠忠
- 优先权： 2011-070538 20110328 JP
- 主分类号： H03H3/02
- IPC分类号： H03H3/02 ; H03H9/21 ; G04G21/04
摘要：
本发明的研磨方法将石英圆片(音叉基板)(155)保持于上平台(151)与下平台(152)之间的载体(157)，将厚度测定用的AT切割圆片(156)配置于载体(157)，将该AT切割圆片(156)与石英圆片(音叉基板)(155)一起研磨，检测该AT切割圆片(156)的谐振频率，基于该检测结果控制石英圆片(音叉基板)(155)的厚度。从而提高研磨时的圆片的厚度精度。
摘要（英）：
Provided is a polishing method which can enhance thickness accuracy of a wafer at the time of polishing the wafer. In a polishing method of a crystal wafer (tuning fork substrate) which is held on a carrier between an upper platen and a lower platen, an AT cut wafer for thickness measurement is arranged on the carrier, the AT cut wafer is polished together with the crystal wafer (tuning fork substrate), resonance frequency of the AT cut wafer is detected, and a thickness of the crystal wafer (tuning fork substrate) is controlled based on a detection result.
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H03 | 基本电子电路 |
| ----H03H | 阻抗网络，例如谐振电路；谐振器 |
| ------H03H3/00 | 专用于制造阻抗网络、谐振电路、谐振器的设备或方法 |
| --------H03H3/007 | .用于制造机电谐振器或网络 |
| ----------H03H3/02 | ..用于制造压电或电致伸缩谐振器或网络 |