基本信息:
- 专利标题： 非导体基材镀敷的改良方法
- 专利标题（英）：Method for improving plating on non-concuctive substrates
- 申请号：CN201080062268.8 申请日：2010-11-10
- 公开(公告)号：CN102714163A 公开(公告)日：2012-10-03
- 发明人： 罗伯特·汉密尔顿 , 欧内斯特·朗 , 安德鲁·M·克罗尔
- 申请人： 麦克德米德尖端有限公司
- 申请人地址： 康涅狄格州
- 专利权人： 麦克德米德尖端有限公司
- 当前专利权人： 麦克德米德尖端有限公司
- 当前专利权人地址： 康涅狄格州
- 代理机构： 北京三幸商标专利事务所
- 代理人： 刘激扬
- 优先权： 12/693,548 2010.01.26 US
- 国际申请： PCT/US2010/056121 2010.11.10
- 国际公布： WO2011/093934 EN 2011.08.04
- 进入国家日期： 2012-07-25
- 主分类号： H01L21/4763
- IPC分类号： H01L21/4763 ; H01L21/44 ; H01L23/04
摘要：
本发明描述了一种处理能够被激光活化的热塑性基材的方法，该热塑性基材中分散有金属化合物。该基材与一种含水组合物接触，该含水组合物包含：(i)硫醇官能有机化合物；(ii)乙氧基化醇表面活性剂；和(iii)黄原胶。通过使用该处理组合物，当该基材此后被激光活化并以无电镀敷方法镀敷时，可本质上消除基材上无关的镀敷。
摘要（英）：
A method of treating a laser-activated thermoplastic substrate having a metal compound dispersed therein is described. The substrate is contacted with an aqueous composition comprising: (i) a thiol functional organic compound; (ii) an ethoxylaied alcohol surfactant; and (ill) xanthan gum. By use of the treatment composition, when the substrate is subsequently laser-activated and plated by electroless plating, extraneous plating of the substrate is substantially eliminated.
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/42 | ....用辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/461 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/4763 | ......非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层、电阻层；这些层的后处理 |