基本信息:
- 专利标题： 电子光学排布结构、多电子分束检验系统和方法
- 申请号：CN201210111707.0 申请日：2004-09-07
- 公开(公告)号：CN102709143B 公开(公告)日：2016-03-09
- 发明人： 赖纳·克尼佩梅尔 , 奥利弗·金茨勒 , 托马斯·克门 , 海科·米勒 , 斯特凡·乌勒曼 , 马克西米利安·海德尔 , 安东尼奥·卡萨雷斯 , 史蒂文·罗杰
- 申请人： 卡尔蔡司SMT有限责任公司 , 应用材料以色列公司
- 申请人地址： 德国上科亨
- 专利权人： 卡尔蔡司SMT有限责任公司,应用材料以色列公司
- 当前专利权人： 卡尔蔡司显微镜有限责任公司,应用材料以色列公司
- 当前专利权人地址： 德国上科亨
- 代理机构： 北京三友知识产权代理有限公司
- 代理人： 李辉
- 优先权： 60/500,256 2003.09.05 US
- 分案原申请号： 2004800255289 2004.09.07
- 主分类号： H01J37/153
- IPC分类号： H01J37/153 ; H01J37/09 ; H01J37/12 ; H01J37/147 ; H01J37/28 ; H01J37/317 ; B82Y10/00
摘要：
本发明涉及电子光学排布结构、多电子分束检验系统和方法。该电子光学排布结构提供一次和二次电子束路径，一次束路径用于从一次电子源指向可定位在该排布结构的物面中的物体的一次电子束，二次束路径用于源自物体的二次电子，该结构包括磁体排布结构，其具有：第一磁场区，由一次和二次电子束路径穿过，用于将一次和二次电子束路径相互分开；第二磁场区，布置在第一磁场区的上游的一次电子束路径中，二次电子束路径不穿过第二磁场区，第一和第二磁场区沿基本上相反的方向使一次电子束路径偏转；第三磁场区，布置在第一磁场区的下游的二次电子束路径中，一次电子束路径不穿过第三磁场区，第一和第三磁场区沿基本上相同的方向使二次电子束路径偏转。
公开/授权文献:
- CN102709143A 电子光学排布结构、多电子分束检验系统和方法 公开/授权日：2012-10-03
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01J | 放电管或放电灯 |
| ------H01J37/00 | 有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管,如为了对其检验或加工的 |
| --------H01J37/02 | .零部件 |
| ----------H01J37/04 | ..电极装置及与产生或控制放电的部件有关的装置，如电子光学装置，离子光学装置 |
| ------------H01J37/153 | ...用以校正图像缺陷的电子或离子光学装置，如像散校正装置 |