基本信息:
- 专利标题： 半导体集成电路
- 专利标题（英）：Semiconductor integrated circuit
- 申请号：CN201110329165.X 申请日：2011-10-26
- 公开(公告)号：CN102708924A 公开(公告)日：2012-10-03
- 发明人： 吴相默 , 任才爀
- 申请人： 海力士半导体有限公司
- 申请人地址： 韩国京畿道
- 专利权人： 海力士半导体有限公司
- 当前专利权人： 海力士半导体有限公司
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道
- 代理机构： 北京弘权知识产权代理事务所
- 代理人： 郭放; 许伟群
- 优先权： 10-2011-0027575 2011.03.28 KR
- 主分类号： G11C17/16
- IPC分类号： G11C17/16
摘要：
本发明提供一种半导体集成电路，其包括：熔丝组；端子，所述端子被指定为在正常操作中被施加第一外部信号；以及控制单元，所述控制单元被配置成在熔丝控制操作中经由所述端子接收第二外部信号，并将所接收的第二外部信号施加至熔丝组。
摘要（英）：
A semiconductor integrated circuit includes a fuse set; a terminal assigned to be applied with a first external signal in a normal operation; and a control unit configured to receive a second external signal through the terminal and apply the received second external signal to the fuse set in a fuse control operation.
公开/授权文献:
- CN102708924B 半导体集成电路 公开/授权日：2016-12-21
IPC结构图谱:
| G | 物理 |
| --G11 | 信息存储 |
| ----G11C | 静态存储器 |
| ------G11C17/00 | 只可一次编程的只读存储器；半永久存储器，例如，手动可替换信息卡片的 |
| --------G11C17/08 | .应用半导体器件的，例如，双极性元件 |
| ----------G11C17/16 | ..应用电可熔链路的 |