基本信息:
- 专利标题： 一种透明非晶态氧化物半导体溅镀靶材
- 专利标题（英）：Transparent amorphous oxide semiconductor sputtering target
- 申请号：CN201210164460.9 申请日：2012-05-18
- 公开(公告)号：CN102677006A 公开(公告)日：2012-09-19
- 发明人： 石宗祥 , 陈泓旭 , 方绍为 , 李仁佑 , 吕学兴 , 陈佳榆
- 申请人： 友达光电股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行二路1号
- 专利权人： 友达光电股份有限公司
- 当前专利权人： 友达光电股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行二路1号
- 代理机构： 北京律诚同业知识产权代理有限公司
- 代理人： 徐金国
- 主分类号： C23C14/34
- IPC分类号： C23C14/34 ; C23C14/08
摘要：
本发明提供了一种透明非晶态氧化物半导体溅镀靶材，至少包括：一第一透明非晶态氧化物半导体；一第二透明非晶态氧化物半导体，与所述第一透明非晶态氧化物半导体相对设置，且所述第一透明非晶态氧化物半导体和所述第二透明非晶态氧化物半导体之间具有一靶材间隙；以及一阻挡部，设置于所述靶材间隙中，并且所述阻挡部采用特定的导电材料或绝缘材料制成。采用本发明，于相邻的两个透明非晶态氧化物半导体之间的靶材间隙内设置一阻挡部，该阻挡部可采用特定的导电材料或绝缘材料制成，从而可降低位于该透明非晶态氧化物半导体下方的背板被溅镀的几率。
摘要（英）：
The invention provides a transparent amorphous oxide semiconductor sputtering target. The sputtering target at least comprises a first transparent amorphous oxide semiconductor; a second transparent amorphous oxide semiconductor opposite to the first transparent amorphous oxide semiconductor, wherein a target gap exists between the first transparent amorphous oxide semiconductor and the second transparent amorphous oxide semiconductor; and a barrier portion arranged in the target gap and made of special conductive material or insulating material. Such barrier portion can reduce sputtering probability of backboard arranged below the transparent amorphous oxide semiconductor.