基本信息:
- 专利标题： 具有用于半导体处理的平坦加热器区域的加热板
- 专利标题（英）：Heating plate with planar heater zones for semiconductor processing
- 申请号：CN201080051828.X 申请日：2010-10-20
- 公开(公告)号：CN102668058B 公开(公告)日：2015-04-01
- 发明人： 哈米特·辛格 , 凯特·加夫 , 尼尔·本杰明 , 凯特·科门达特
- 申请人： 朗姆研究公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 朗姆研究公司
- 当前专利权人： 朗姆研究公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 上海胜康律师事务所
- 代理人： 李献忠
- 优先权： 12/582,991 2009.10.21 US
- 国际申请： PCT/US2010/002794 2010.10.20
- 国际公布： WO2011/049620 EN 2011.04.28
- 进入国家日期： 2012-05-16
- 主分类号： H01L21/68
- IPC分类号： H01L21/68
摘要：
一种用于在半导体等离子体处理装置中的基板支承组件的加热板，包括设置在可扩展的多重布局结构中的多个独立可控平坦加热器区域，以及独立控制和供电给所述平坦加热器区域的电子设备。结合有所述加热板的基板支承组件包括静电夹持电极和温控基板。用于制造所述加热板的方法包括将具有平坦加热器区域、电源供应线、电源返回线以及导通孔的陶瓷或聚合物片粘结在一起。
公开/授权文献:
- CN102668058A 具有用于半导体处理的平坦加热器区域的加热板 公开/授权日：2012-09-12