基本信息:
- 专利标题： 一种带有成角度侧壁的静电卡盘
- 专利标题（英）：An electrostatic chuck with an angled sidewall
- 申请号：CN201080053942.6 申请日：2010-11-22
- 公开(公告)号：CN102666917A 公开(公告)日：2012-09-12
- 发明人： 拉金德尔·德辛德萨 , 普拉蒂克·曼克迪 , 克里斯·金柏
- 申请人： 朗姆研究公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 朗姆研究公司
- 当前专利权人： 朗姆研究公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 上海胜康律师事务所
- 代理人： 李献忠
- 优先权： 61/265,200 20091130 US
- 国际申请： PCT/US2010/003013 20101122
- 国际公布： WO2011/065965 EN 20110603
- 进入国家日期： 2012-05-29
- 主分类号： C23C16/44
- IPC分类号： C23C16/44 ; C23C16/458 ; H01L21/48 ; C23F4/04
摘要：
一种用于等离子体处理室的基板支承组件，该组件在上部边缘具有成角度侧壁。在等离子体处理过程中，基板被边缘环围绕，该基板被支承在该基板支承组件的上部基板支承组件的表面上，边缘环位于该基板下面。在等离子体处理过程中，成角度侧壁是基板支承组件暴露的并且会沉积副产物沉积物的唯一表面。在原位室清洁过程中，成角度侧壁提高了副产物沉积物的溅射率，其中被供应至室的清洁气体被激发成等离子体状态以清洁副产物沉积物。
摘要（英）：
A substrate support for a plasma processing chamber has an angled sidewall at an upper periphery thereof. The substrate is surrounded by an edge ring which underlies a substrate supported on an upper substrate support surface of the substrate support during plasma processing. The angled sidewall is the only surface of the substrate support exposed and subject to byproduct deposition during plasma processing. The angled sidewall enhances sputtering rate of the byproduct deposition during an in situ chamber clean process wherein a cleaning gas supplied to the chamber is energized into a plasma state for cleaning the byproduct deposition.