专利号CN201180004702.1 | 陶瓷材料、层叠体、半导体制造装置用构件及溅射靶材

专利标题：陶瓷材料、层叠体、半导体制造装置用构件及溅射靶材
申请号：CN201180004702.1 申请日：2011-10-11
公开(公告)号：CN102639464B 公开(公告)日：2016-03-16
发明人：渡边守道 , 神藤明日美 , 胜田祐司 , 佐藤洋介 , 矶田佳范
申请人：日本碍子株式会社
申请人地址：日本国爱知县
专利权人：日本碍子株式会社
当前专利权人：日本碍子株式会社
当前专利权人地址：日本国爱知县
代理机构：上海市华诚律师事务所
代理人：徐申民; 李晓
优先权： 2010-239000 2010.10.25 JP; 2011-135312 2011.06.17 JP; PCT/JP2011/069479 2011.08.29 JP
国际申请： PCT/JP2011/073329 2011.10.11
国际公布： WO2012/056875 JA 2012.05.03
进入国家日期： 2012-05-24
主分类号： H01L21/3065
IPC分类号： H01L21/3065 ; H01L21/31 ; C04B35/581 ; C04B35/04

摘要：

本发明的陶瓷材料以镁、铝、氧及氮为主成分，主相为使用CuKα线时的XRD波峰至少出现在2θ＝47～50°的镁-铝氮氧化物相。

H	电学
--H01	基本电气元件
----H01L	半导体器件；其他类目未包含的电固体器件
------H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
--------H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
----------H01L21/027	..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
------------H01L21/18	...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
--------------H01L21/26	....用波或粒子辐射轰击的
----------------H01L21/302	.....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
------------------H01L21/306	......化学或电处理，例如电解腐蚀
--------------------H01L21/3065	.......等离子腐蚀；活性离子腐蚀

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