基本信息:
- 专利标题： 半导体激光器件
- 专利标题（英）：Semiconductor laser device
- 申请号：CN201210025101.5 申请日：2012-02-01
- 公开(公告)号：CN102629733A 公开(公告)日：2012-08-08
- 发明人： 方瑞雨 , 盖德·艾伯特·罗格若 , 朱莉安娜·莫若罗 , 罗伯拓·帕沃勒特 , 迈克勒·埃戈斯特
- 申请人： 安华高科技光纤IP(新加坡)私人有限公司
- 申请人地址： 新加坡新加坡市
- 专利权人： 安华高科技光纤IP(新加坡)私人有限公司
- 当前专利权人： 安华高科技光纤IP(新加坡)私人有限公司
- 当前专利权人地址： 新加坡新加坡市
- 代理机构： 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
- 代理人： 王安武
- 优先权： 13/018,581 2011.02.01 US
- 主分类号： H01S5/02
- IPC分类号： H01S5/02 ; H01S5/18 ; H01S5/028
摘要：
本发明涉及其中边发射激光器与反射器集成以形成面发射半导体激光器件的半导体激光器件。该面发射半导体激光器件被设置包括形成在布置于半导体衬底上的各层半导体材料中的边发射激光器、被布置在衬底上与其中形成有边发射激光器的层横向相邻的聚合物材料、以及形成在聚合物材料的大致面对激光器的出射端面的斜侧面中或上的反射器。离开出射端面的激光在被反射器沿与衬底的上表面大致垂直的方向反射离开器件之前传播通过聚合物材料。
摘要（英）：
A surface-emitting semiconductor laser device is provided that includes an edge-emitting laser formed in various layers of semiconductor material disposed on a semiconductor substrate, a polymer material disposed on the substrate laterally adjacent the layers in which the edge-emitting laser is formed, and a reflector formed in or on an angled side facet of the polymer material generally facing an exit end facet of the laser. Laser light passes out of the exit end facet propagates through the polymer material before being reflected by the reflector out of the device in a direction that is generally normal to the upper surface of the substrate.