基本信息:
- 专利标题： 光刻设备以及器件制造方法
- 专利标题（英）：Lithographic apparatus and device manufacturing method
- 申请号：CN201080051846.8 申请日：2010-09-08
- 公开(公告)号：CN102612667B 公开(公告)日：2015-06-17
- 发明人： J·范斯库特 , 克恩·万英根谢诺 , G·德维里斯
- 申请人： ASML荷兰有限公司
- 申请人地址： 荷兰维德霍温
- 专利权人： ASML荷兰有限公司
- 当前专利权人： ASML荷兰有限公司
- 当前专利权人地址： 荷兰维德霍温
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理人： 吴敬莲
- 优先权： 61/262,225 2009.11.18 US
- 国际申请： PCT/EP2010/063192 2010.09.08
- 国际公布： WO2011/060975 EN 2011.05.26
- 进入国家日期： 2012-05-16
- 主分类号： G03F7/20
- IPC分类号： G03F7/20 ; G02B5/09
摘要：
在光刻设备中，使用场反射镜设置照射模式，场反射镜包括多个可移动琢面以引导辐射至光瞳琢面反射镜上的可选定位置。在一场琢面反射镜有缺陷且不能被设置到期望位置的情形中，可移动琢面反射镜中的另一个被设置到与其期望位置不同的校正位置，以便至少部分地缓解有缺陷的琢面反射镜的有害影响。
公开/授权文献:
- CN102612667A 光刻设备以及器件制造方法 公开/授权日：2012-07-25