基本信息:
- 专利标题： 基于纳米管的场发射装置和方法
- 申请号：CN201080050714.3 申请日：2010-09-20
- 公开(公告)号：CN102598191B 公开(公告)日：2016-08-03
- 发明人： A·迪诺杰瓦拉 , S·塞西
- 申请人： 阿克伦大学
- 申请人地址： 美国俄亥俄州
- 专利权人： 阿克伦大学
- 当前专利权人： 阿克伦大学
- 当前专利权人地址： 美国俄亥俄州
- 代理机构： 北京润平知识产权代理有限公司
- 代理人： 王浩然; 周建秋
- 优先权： 61/243,612 2009.09.18 US
- 国际申请： PCT/US2010/049499 2010.09.20
- 国际公布： WO2011/035246 EN 2011.03.24
- 进入国家日期： 2012-05-09
- 主分类号： H01J1/304
- IPC分类号： H01J1/304 ; H01J9/02
摘要：
一种制造场发射显示器的阴极部分的方法包括制造大体平行的碳纳米管阵列的步骤，所述碳纳米管阵列在一个末端接合到大体平坦的基板。随后，将所述纳米管嵌入在延伸到纳米管与平坦基板的接合平面的聚合物基体中，其中所述聚合物基体允许所述纳米管中远离接合到所述平坦基板的末端的末端不被所述聚合物基体覆盖，以允许彼此电接触且与所接合的导体电接触。然后，从所述平坦基板卸下所述阵列，藉此制造使纳米管的先前接合末端大体位于一个平面中的表面，且随后将所述导体接合到不被所述聚合物基体覆盖且远离所述平面的纳米管末端阵列。
公开/授权文献:
- CN102598191A 基于纳米管的场发射装置和方法 公开/授权日：2012-07-18