基本信息:
- 专利标题： 用于原子层沉积的涡流室盖
- 申请号：CN201210033172.X 申请日：2007-10-24
- 公开(公告)号：CN102586760B 公开(公告)日：2016-07-06
- 发明人： 吴典晔 , 庞尼特·巴贾 , 袁晓雄 , 史蒂文·H·金 , 舒伯特·S·楚 , 保罗·F·马 , 约瑟夫·F·奥布赫恩
- 申请人： 应用材料公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 应用材料公司
- 当前专利权人： 应用材料公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 北京律诚同业知识产权代理有限公司
- 代理人： 徐金国; 钟强
- 优先权： 60/862,764 2006.10.24 US
- 分案原申请号： 200780039651X 2007.10.24
- 主分类号： C23C16/455
- IPC分类号： C23C16/455 ; C23C16/44
摘要：
一种用于原子层沉积的涡流室盖。本发明的实施方式是关于在原子层沉积工艺期间沉积材料至衬底上的设备和方法。在一实施方式中，提供用于处理衬底的处理室，其包括含有置中设置的气体分配道的室盖组件，其中气体分配道的汇流部往气体分配道的中心轴逐渐变细，气体分配道的分流部则背离中心轴逐渐变细。室盖组件还包含从气体分配道的分流部延伸至室盖组件的周围部分的锥形底面，其中锥形底面经构形及调整大小以基本上覆盖住衬底，且二导管耦接至气体分配道的汇流部的气体入口并设置以提供遍及气体分配道的环形气流。
公开/授权文献:
- CN102586760A 用于原子层沉积的涡流室盖 公开/授权日：2012-07-18