基本信息:
- 专利标题： 形成受控的空隙的材料和方法
- 专利标题（英）：Materials and methods of forming controlled voids in dielectric layers
- 申请号：CN201210022734.0 申请日：2007-04-18
- 公开(公告)号：CN102569179A 公开(公告)日：2012-07-11
- 发明人： R·N·弗尔蒂斯 , 吴定军 , M·L·奥奈尔 , M·D·比特纳 , J·L·文森特 , E·J·小卡瓦克基 , A·S·卢卡斯
- 申请人： 气体产品与化学公司
- 申请人地址： 美国宾夕法尼亚州
- 专利权人： 气体产品与化学公司
- 当前专利权人： 弗萨姆材料美国有限责任公司
- 当前专利权人地址： 美国宾夕法尼亚州
- 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理人： 范赤; 杨思捷
- 优先权： 60/792,793 2006.04.18 US; 11/693,707 2007.03.29 US
- 分案原申请号： 2007101035756 2007.04.18
- 主分类号： H01L21/768
- IPC分类号： H01L21/768 ; H01L21/316
The invention relates to materials and methods of forming controlled voids in dielectric layers. One technical proposal of the invention is a method of forming an air gap on a substrate. The method includes providing a substrate; depositing a sacrificial material on a substrate by depositing at least one precursor of the sacrificial material; depositing a composite layer, containing a porogen material, over the sacrificial material; removing of the porogen material from the composite layer to form a porous layer; and removing the sacrificial material to provide the air gap. The sacrificial material precursor is selected from an organic porogen, silicon, and a polar solvent soluble metal oxide, and is removed by, as appropriate, applying energy or contacting the layered substrate with a removal medial, such as a fluorine containing reagent or polar solvent, which diffuses through the porous layer.
公开/授权文献:
- CN102569179B 形成受控的空隙的材料和方法 公开/授权日：2016-08-03
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/768 | ...利用互连在器件中的分离元件间传输电流 |