基本信息:
- 专利标题： 一种增强铝制程金属层与光阻附着力的表面处理方法
- 专利标题（英）：Surface treatment method for strengthening aluminum process metal layer and light resistance adhesive force
- 申请号：CN201110232265.0 申请日：2011-08-15
- 公开(公告)号：CN102543846B 公开(公告)日：2014-04-02
- 发明人： 张亮 , 姬峰 , 李磊 , 陈玉文 , 胡友存
- 申请人： 上海华力微电子有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号
- 专利权人： 上海华力微电子有限公司
- 当前专利权人： 上海华力微电子有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号
- 代理机构： 上海新天专利代理有限公司
- 代理人： 王敏杰
- 主分类号： H01L21/768
- IPC分类号： H01L21/768 ; H01L21/312
摘要：
本发明公开了一种增强金属层与光阻附着力的表面处理方法，用在金属层上涂覆光刻胶方法中，其中，在基底上制成有金属层及覆盖在金属层上的金属阻挡层，主要包括以下步骤：在反应腔室中通入含氧气体并对含氧气体进行等离子化，对所述覆盖在金属层上方的金属阻挡层进行高温等离子体氧化热处理，生成一层位于所述覆盖在金属层上方的金属阻挡层表面的金属氧化物薄层；在反应腔室中通入硅基有机物化合物气体，在所述金属氧化物薄层表面上对所述硅基有机物化合物进行化学吸附产生一层吸附层，将反应腔室内多余的所述硅基有机物化合物气体抽离，仅保留所述吸附层；将所述吸附层在等离子体活化反应下生成一层第一粘结过渡层。
公开/授权文献:
- CN102543846A 一种增强铝制程金属层与光阻附着力的表面处理方法 公开/授权日：2012-07-04
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/768 | ...利用互连在器件中的分离元件间传输电流 |