基本信息:
- 专利标题： 结合晶片级不同尺寸半导体管芯的方法和半导体器件
- 申请号：CN201110349177.9 申请日：2011-09-29
- 公开(公告)号：CN102543772B 公开(公告)日：2016-03-02
- 发明人： 具俊谟 , P·C·马里穆图 , S·W·尹 , 沈一权
- 申请人： 新科金朋有限公司
- 申请人地址： 新加坡新加坡市
- 专利权人： 新科金朋有限公司
- 当前专利权人： 新科金朋有限公司
- 当前专利权人地址： 新加坡新加坡市
- 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理人： 刘春元; 王忠忠
- 优先权： 61/387595 2010.09.29 US; 13/231839 2011.09.13 US
- 主分类号： H01L21/56
- IPC分类号： H01L21/56 ; H01L21/768 ; H01L23/522 ; H01L23/28
A semiconductor wafer has first and second opposing surfaces. A plurality of conductive vias is formed partially through the first surface of the semiconductor wafer. The semiconductor wafer is singulated into a plurality of first semiconductor die. The first semiconductor die are mounted to a carrier. A second semiconductor die is mounted to the first semiconductor die. A footprint of the second semiconductor die is larger than a footprint of the first semiconductor die. An encapsulant is deposited over the first and second semiconductor die and carrier. The carrier is removed. A portion of the second surface is removed to expose the conductive vias. An interconnect structure is formed over a surface of the first semiconductor die opposite the second semiconductor die. Alternatively, a first encapsulant is deposited over the first semiconductor die and carrier, and a second encapsulant is deposited over the second semiconductor die.
公开/授权文献:
- CN102543772A 结合晶片级不同尺寸半导体管芯的方法和半导体器件 公开/授权日：2012-07-04
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/50 | ...应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的 |
| --------------H01L21/56 | ....封装，例如密封层、涂层 |