基本信息:
- 专利标题： 测量CCD芯片暗电流和双倍温度常数的方法
- 专利标题（英）：Method for measuring CCD (Charge Coupled Device) chip dark current and double temperature constant
- 申请号：CN201110330695.6 申请日：2011-10-26
- 公开(公告)号：CN102508145A 公开(公告)日：2012-06-20
- 发明人： 邵晓鹏 , 杨晓晖 , 黄远辉 , 刘飞 , 靳振华 , 王阳 , 张临临 , 梁凤明 , 张崇辉 , 许宏涛
- 申请人： 西安电子科技大学
- 申请人地址： 陕西省西安市太白南路2号
- 专利权人： 西安电子科技大学
- 当前专利权人： 西安电子科技大学
- 当前专利权人地址： 陕西省西安市太白南路2号
- 代理机构： 陕西电子工业专利中心
- 代理人： 王品华; 朱红星
- 主分类号： G01R31/26
- IPC分类号： G01R31/26 ; G01R19/00
The invention discloses a method for measuring the CCD (Charge Coupled Device) chip dark current and double temperature constant. The method is realized by the following steps of: arranging a CCD chip in a dewar flask temperature control room, and configuring a reference temperature such that the CCD chip works at the reference temperature, wherein the temperature control room is sealed and light-proof; controlling the CCD chip to shoot an image through a control circuit, and uploading the information of the image to a computer; calculating an average gray value of the obtained image; drawing a fitting curve by utilizing the average gray value of the image and corresponding integration time to obtain a dark current; and finally calculating the double temperature constant by measuring the dark current at a plurality of different temperatures. The method disclosed by the invention has the advantages of high parameter measurement precision and good stability, and is suitable for precise measurement of the dark current and the double temperature constant of the CCD chip.
公开/授权文献:
- CN102508145B 测量CCD芯片暗电流和双倍温度常数的方法 公开/授权日：2014-02-12
IPC结构图谱:
| G | 物理 |
| --G01 | 测量；测试 |
| ----G01R | 测量电变量；测量磁变量（通过转换成电变量对任何种类的物理变量进行测量参见G01类名下的 |
| ------G01R31/00 | 电性能的测试装置；电故障的探测装置；以所进行的测试在其他位置未提供为特征的电测试装置 |
| --------G01R31/26 | .单个半导体器件的测试 |