基本信息:
- 专利标题： 氮化物单晶的制造方法及其装置
- 专利标题（英）：Process for producing a nitride single crystal and apparatus therefor
- 申请号：CN201210003531.7 申请日：2007-02-22
- 公开(公告)号：CN102492993B 公开(公告)日：2015-04-01
- 发明人： 今井克宏 , 岩井真 , 下平孝直 , 佐佐木孝友 , 森勇介 , 川村史朗
- 申请人： 日本碍子株式会社 , 国立大学法人大阪大学
- 申请人地址： 日本爱知县
- 专利权人： 日本碍子株式会社,国立大学法人大阪大学
- 当前专利权人： 日本碍子株式会社,国立大学法人大阪大学
- 当前专利权人地址： 日本爱知县
- 代理机构： 北京银龙知识产权代理有限公司
- 代理人： 钟晶; 於毓桢
- 优先权： 2006-082044 2006.03.24 JP
- 分案原申请号： 2007800102412 2007.02.22
- 主分类号： C30B29/40
- IPC分类号： C30B29/40 ; C30B9/00
摘要：
本发明涉及氮化物单晶的制造方法及其装置，本发明提供一种氮化物单晶的制造方法，其为使用含有助熔剂和原料的溶液来制造氮化物单晶的方法，其特征在于，使用的生长装置包括：用于容纳所述溶液的多个坩埚、用于加热所述坩埚的发热体、容纳所述多个坩埚并由热传导性材料制成的组件以及用于至少容纳所述组件和所述发热体并填充至少包含氮气的气氛气体的压力容器；分别在所述每个坩埚内设置一个种晶，通过移动所述组件来同时搅拌所述各坩埚内的所述溶液，在所述各坩埚内由各个种晶生长成所述氮化物单晶。
公开/授权文献:
- CN102492993A 氮化物单晶的制造方法及其装置 公开/授权日：2012-06-13