基本信息:
- 专利标题： 具有偏压材料及背侧阱的成像器
- 专利标题（英）：Imager with biased material and backside well
- 申请号：CN201080028850.2 申请日：2010-06-16
- 公开(公告)号：CN102460702A 公开(公告)日：2012-05-16
- 发明人： 约翰·P·麦卡滕 , 克里斯蒂安·亚历山德鲁·蒂瓦鲁斯 , 约瑟夫·苏马
- 申请人： 全视科技有限公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 全视科技有限公司
- 当前专利权人： 全视科技有限公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 北京律盟知识产权代理有限责任公司
- 代理人： 沈锦华
- 优先权： 12/492,336 2009.06.26 US
- 国际申请： PCT/US2010/001734 2010.06.16
- 国际公布： WO2010/151299 EN 2010.12.29
- 进入国家日期： 2011-12-26
- 主分类号： H01L27/146
- IPC分类号： H01L27/146
摘要：
背照式图像传感器包括一个或一个以上触点植入区，所述一个或一个以上触点植入区安置成邻近于传感器层的背侧。包括但不限于导电遮光罩的导电材料安置于所述传感器层的所述背侧上方。背侧阱形成于所述传感器层中邻近于所述背侧，且绝缘层安置于所述背侧的表面上方。形成于所述绝缘层中的触点将所述导电材料电连接到相应的触点植入区。所述触点植入区的至少一部分布置成对应于一个或一个以上像素边缘的形状。
摘要（英）：
Back-illuminated image sensors include one or more contact implant regions disposed adjacent to a backside of a sensor layer. An electrically conductive material, including, but not limited to, a conductive lightshield, is disposed over the backside of the sensor layer. A backside well is formed in the sensor layer adjacent to the backside, and an insulating layer is disposed over the surface of the backside. Contacts formed in the insulating layer electrically connect the electrically conducting material to respective contact implant regions. At least a portion of the contact implant regions are arranged in a shape that corresponds to one or more pixel edges.
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/144 | ..由辐射控制的器件 |
| ------------H01L27/146 | ...图像结构 |