基本信息:
- 专利标题： 用于蚀刻的方法和设备
- 专利标题（英）：Method and apparatus for etching
- 申请号：CN201080025011.5 申请日：2010-05-24
- 公开(公告)号：CN102459704A 公开(公告)日：2012-05-16
- 发明人： 阿兰·切斯里
- 申请人： 应用材料公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 应用材料公司
- 当前专利权人： 应用材料公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
- 代理人： 王安武
- 优先权： 61/183,604 2009.06.03 US
- 国际申请： PCT/US2010/035959 2010.05.24
- 国际公布： WO2010/141257 EN 2010.12.09
- 进入国家日期： 2011-12-05
- 主分类号： C23F4/04
- IPC分类号： C23F4/04 ; H01L21/3065
摘要：
本发明的实施例针对衬底蚀刻方法和设备。在一实施例中，提供了一种用于在等离子体蚀刻反应器中蚀刻衬底的方法，其包括以下步骤：a)在蚀刻反应器中将聚合物沉积在衬底上；b)在蚀刻反应器中使用包括含氟气体和氧的气体混合物蚀刻衬底；c)在蚀刻反应器中使用未混合氧的含氟气体蚀刻设置在衬底上的含硅层；以及d)重复步骤a)、b)及c)，直至达到了蚀刻到含硅层内的特征结构的终点。
摘要（英）：
Embodiments of the invention relate to a substrate etching method and apparatus. In one embodiment, a method for etching a substrate in a plasma etch reactor is provided that includes a) depositing a polymer on a substrate in an etch reactor, b) etching the substrate using a gas mixture including a fluorine-containing gas and oxygen in the etch reactor, c) etching a silicon-containing layer the substrate using a fluorine-containing gas without mixing oxygen in the etch reactor, and d) repeating a), b) and c) until an endpoint of a feature etched into the silicon-containing layer is reached.
公开/授权文献:
- CN102459704B 用于蚀刻的方法和设备 公开/授权日：2014-08-20