基本信息:
- 专利标题： 形成用于接触插塞的金属硅化物的方法
- 专利标题（英）：Method for forming metal silicide for contact plug
- 申请号：CN201010524653.1 申请日：2010-10-26
- 公开(公告)号：CN102456559A 公开(公告)日：2012-05-16
- 发明人： 陈意维 , 赖国智 , 何念葶 , 黄建中
- 申请人： 联华电子股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹科学工业园区
- 专利权人： 联华电子股份有限公司
- 当前专利权人： 联华电子股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹科学工业园区
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理人： 陈小雯
- 主分类号： H01L21/28
- IPC分类号： H01L21/28 ; H01L21/283
The invention discloses a method for forming metal silicide for a contact plug. The method comprises the following steps: providing a substrate; secondly, forming a grid structure on the substrate, wherein the grid structure comprises a silicon layer, a grid dielectric layer and at least one clearance wall; then forming a group of source electrode and a drain electrode which are positioned in the substrate and are adjacent to the grid structure; continuously, forming an interlayer dielectric layer which covers the grid structure, the source electrode and the drain electrode; then removing the interlayer dielectric layer selectively so as to reveal the grid structure; and finally, forming a plurality of contact holes in the interlayer dielectric layer so as to reveal partial substrate; and then carrying out a reaction on the revealed substrate so as to form the metal silicide.
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/28 | ....用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的 |