基本信息:
- 专利标题: 在纳米孔表面和孔内制备纳米间隙电极的方法
- 专利标题(英):Method for preparing nano-gap electrodes on surface of nano-pore and in nano-pore
- 申请号:CN201110285898.8 申请日:2011-09-23
- 公开(公告)号:CN102445480B 公开(公告)日:2013-09-18
- 发明人: 叶晓峰 , 刘丽萍 , 吴宏文 , 孔婧琳 , 陆祖宏 , 刘全俊 , 易红
- 申请人: 东南大学
- 申请人地址: 江苏省南京市江宁开发区东南大学路2号
- 专利权人: 东南大学
- 当前专利权人: 东南大学
- 当前专利权人地址: 江苏省南京市江宁开发区东南大学路2号
- 代理机构: 南京天翼专利代理有限责任公司
- 代理人: 周静
- 主分类号: G01N27/30
- IPC分类号: G01N27/30 ; B82Y40/00 ; B82Y15/00
摘要:
本发明涉及在纳米孔表面和孔内制备纳米间隙电极的方法,可以实现二维双通道同时检测分子过孔的信号变化,提高纳米孔测序的精确度。所述在纳米孔表面制备纳米间隙电极的方法是:在基材表面形成线宽度为微米级金属线,将金属线刻蚀成线宽度为纳米级,然后在对应于纳米级线宽的金属线位置,在基材上刻蚀出贯穿的纳米孔,同时蚀断金属线,从而直接在纳米孔孔口形成表面纳米间隙电极。作为本发明的改进,在基材表面形成线宽度为微米级金属线,将金属线刻蚀至线宽度为10-50nm,然后在金属线上刻蚀,形成相对的电极,并在基材上对应于纳米间隙的位置刻蚀出贯穿的纳米孔,最后使金属线向纳米孔边缘生长,从而在纳米孔孔口形成表面纳米间隙电极。
公开/授权文献:
- CN102445480A 在纳米孔表面和孔内制备纳米间隙电极的方法 公开/授权日:2012-05-09
IPC结构图谱:
G | 物理 |
--G01 | 测量;测试 |
----G01N | 借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料 |
------G01N27/00 | 用电、电化学或磁的方法测试或分析材料 |
--------G01N27/02 | .通过测试阻抗 |
----------G01N27/28 | ..电解池部件 |
------------G01N27/30 | ...电极,例如测试电极;半电池 |