基本信息:
- 专利标题： 一种制造高拉应力氮化硅薄膜的方法
- 专利标题（英）：Method for manufacturing silicon nitride film with high tensile stress
- 申请号：CN201110110367.5 申请日：2011-04-29
- 公开(公告)号：CN102412125A 公开(公告)日：2012-04-11
- 发明人： 徐强 , 张文广 , 郑春生 , 陈玉文
- 申请人： 上海华力微电子有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号
- 专利权人： 上海华力微电子有限公司
- 当前专利权人： 上海华力微电子有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号
- 代理机构： 上海新天专利代理有限公司
- 代理人： 王敏杰
- 主分类号： H01L21/26
- IPC分类号： H01L21/26 ; H01L21/318 ; H01L21/8234
The invention discloses a method for manufacturing a silicon nitride film with high tensile stress, comprising the following steps of: depositing a first silicon nitride film layer on a silicon substrate, treating the first silicon nitride film by using plasma; depositing a second silicon nitride film layer on the first silicon nitride film layer, treating the second silicon nitride film by using plasma; and performing ultraviolet irradiation on the multilayer silicon nitride film. The manufacturing method provided by the invention can be used for manufacturing a silicon nitride film with the smallest stress of 1.8GPa at a lower manufacturing cost, the silicon nitride film can be applied to an NMOS(N-channel Metal Oxide Semiconductor) device for greatly increasing the electromobility, and the production process is quite simple.
公开/授权文献:
- CN102412125B 一种制造高拉应力氮化硅薄膜的方法 公开/授权日：2013-12-04
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |