基本信息:
- 专利标题： 一种拉制8英寸区熔硅单晶热系统及工艺
- 专利标题（英）：Thermal system and process for controlling 8-inch zone melting silicon monocrystals
- 申请号：CN201110306524.X 申请日：2011-10-11
- 公开(公告)号：CN102321913B 公开(公告)日：2014-03-05
- 发明人： 沈浩平 , 高树良 , 张雪囡 , 王彦君 , 王岩 , 王遵义 , 赵宏波 , 靳立辉 , 刘嘉
- 申请人： 天津市环欧半导体材料技术有限公司
- 申请人地址： 天津市东丽区华苑产业园区(环外)海泰东路12号
- 专利权人： 天津市环欧半导体材料技术有限公司
- 当前专利权人： 中环领先半导体科技股份有限公司,天津中环领先材料技术有限公司
- 当前专利权人地址： 214200 江苏省无锡市宜兴经济技术开发区东氿大道
- 代理机构： 天津中环专利商标代理有限公司
- 代理人： 王凤英
- 主分类号： C30B15/14
- IPC分类号： C30B15/14 ; C30B13/16
摘要：
本发明涉及一种拉制8英寸区熔硅单晶热系统及工艺。热系统包括线圈和保温桶，在炉体外两侧与线圈1相同高度的位置上分别设有产生横向磁场的磁场发生器，在线圈和保温桶之间设有用于对熔区热量进行反射的反射器。其工艺为：当扩肩直径到达100mm时，伸出反射器在硅单晶周围形成一个保温圈，开启磁场发生器，同时要保证扩肩过程中硅单晶上方的熔区高度为3～5mm，当硅单晶直径到205mm时转肩；在等径保持过程中，炉压为4~8bar。由于采取新设计的区熔硅单晶热系统和调整了工艺参数，成功拉制出8英寸区熔硅单晶，解决了大直径硅单晶成晶困难中的温度波动和熔流波动的问题，避免和减少了位错的产生，从而满足市场对8英寸区熔硅单晶的需求。
公开/授权文献:
- CN102321913A 一种拉制8英寸区熔硅单晶热系统及工艺 公开/授权日：2012-01-18