基本信息:
- 专利标题： MIM电容器及其制造方法
- 申请号：CN201010217934.2 申请日：2010-06-23
- 公开(公告)号：CN102299184A 公开(公告)日：2011-12-28
- 发明人： 许丹
- 申请人： 上海宏力半导体制造有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东张江高科技园区祖冲之路1399号
- 专利权人： 上海宏力半导体制造有限公司
- 当前专利权人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东张江高科技园区祖冲之路1399号
- 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理人： 骆苏华
- 主分类号： H01L29/92
- IPC分类号： H01L29/92 ; H01L21/02 ; H01L21/28
摘要：
本发明提供了一种MIM电容器及其制造方法，该电容器包括：半导体基底；位于半导体基底上的第一金属极板；位于所述第一金属极板上的介质层；位于介质层上的第二金属极板；所述第一金属极板和/或第二金属极板面对介质层的表面为凹凸表面，该电容器减小了MIM电容器占芯片的面积。