基本信息:
- 专利标题： 平面腔体微机电系统及相关结构、制造和设计结构的方法
- 专利标题（英）：Planar cavity mems and related structures, methods of manufacture and design structures
- 申请号：CN201110174587.4 申请日：2011-06-24
- 公开(公告)号：CN102295265B 公开(公告)日：2014-12-17
- 发明人： 安东尼.K.斯坦珀 , 约翰.G.通布利
- 申请人： 国际商业机器公司
- 申请人地址： 美国纽约阿芒克
- 专利权人： 国际商业机器公司
- 当前专利权人： 国际商业机器公司
- 当前专利权人地址： 美国纽约阿芒克
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理人： 邱军
- 优先权： 61/358,621 2010.06.25 US; 12/973,381 2010.12.20 US
- 主分类号： B81C1/00
- IPC分类号： B81C1/00 ; B81B3/00 ; B81C99/00
摘要：
本发明公开一种平面腔体微机电系统及相关结构、制造和设计结构的方法。一种形成至少一个微机电系统(MEMS)的方法包括图案化布线层以形成至少一个固定板，以及在该布线层上形成牺牲材料。该方法还包括在至少一个固定板上和下方衬底的暴露部分上形成一个或多个膜的绝缘层以防止形成该布线层和牺牲材料之间的反应产物。该方法还包括在至少一个固定板上形成可移动的至少一个MEMS梁。该方法还包括排出或剥去该牺牲材料以形成至少第一腔体。
摘要（英）：
A method of forming at least one Micro-Electro-Mechanical System (MEMS) cavity includes forming a first sacrificial cavity layer over a wiring layer and substrate. The method further includes forming an insulator layer over the first sacrificial cavity layer. The method further includes performing a reverse damascene etchback process on the insulator layer. The method further includes planarizing the insulator layer and the first sacrificial cavity layer. The method further includes venting or stripping of the first sacrificial cavity layer to a planar surface for a first cavity of the MEMS.
公开/授权文献:
- CN102295265A 平面腔体微机电系统及相关结构、制造和设计结构的方法 公开/授权日：2011-12-28
IPC结构图谱:
| B | 作业；运输 |
| --B81 | 微观结构技术 |
| ----B81C | 专门适用于制造或处理微观结构的装置或系统的方法或设备 |
| ------B81C1/00 | 在基片内或其上制造或处理的装置或系统 |