基本信息:
- 专利标题： 非易失性状态保持锁存器
- 专利标题（英）：Non-volatile state retention latches
- 申请号：CN200980147665.2 申请日：2009-12-03
- 公开(公告)号：CN102227777B 公开(公告)日：2015-06-03
- 发明人： 刘·G·蔡-奥安
- 申请人： 高通股份有限公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 高通股份有限公司
- 当前专利权人： 高通股份有限公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 北京律盟知识产权代理有限责任公司
- 代理人： 宋献涛
- 优先权： 12/328,042 2008.12.04 US
- 国际申请： PCT/US2009/066490 2009.12.03
- 国际公布： WO2010/065691 EN 2010.06.10
- 进入国家日期： 2011-05-27
- 主分类号： G11C11/00
- IPC分类号： G11C11/00 ; G11C11/16 ; G11C14/00
摘要：
电子电路使用锁存器，所述锁存器包括磁性隧道结(MTJ)结构及经布置以在所述MTJ结构中产生选择性状态的逻辑电路。因为所述选择性状态是以磁性方式维持，所以即使在从电子装置移除电力的情况下也可维持所述锁存器或电子电路的所述状态。
公开/授权文献:
- CN102227777A 非易失性状态保持锁存器 公开/授权日：2011-10-26