基本信息:
- 专利标题： 溅射装置、溅射方法和电子器件制造方法
- 专利标题（英）：Sputtering equipment, sputtering method and method for manufacturing electronic device
- 申请号：CN200980147190.7 申请日：2009-12-25
- 公开(公告)号：CN102227514B 公开(公告)日：2014-08-20
- 发明人： 北田亨 , 渡边直树 , 长井基将
- 申请人： 佳能安内华股份有限公司
- 申请人地址： 日本神奈川
- 专利权人： 佳能安内华股份有限公司
- 当前专利权人： 佳能安内华股份有限公司
- 当前专利权人地址： 日本神奈川
- 代理机构： 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理人： 魏小薇
- 优先权： 2008-333066 2008.12.26 JP; 2008-333480 2008.12.26 JP
- 国际申请： PCT/JP2009/007278 2009.12.25
- 国际公布： WO2010/073711 JA 2010.07.01
- 进入国家日期： 2011-05-26
- 主分类号： C23C14/34
- IPC分类号： C23C14/34 ; H01F41/18 ; H01L43/08 ; H01L43/12
摘要：
一种溅射装置配备有：基板保持器(22)，在基板的待处理面的面方向上可旋转地保持基板(21)；基板侧磁体(30)，在基板(21)的待处理面处形成磁场，并且被布置在基板(21)周边；阴极(41)，用于产生放电的功率被施加到该阴极(41)，并且，该阴极(41)被布置在基板(21)的斜上方；位置检测单元(23)，检测基板(21)的旋转位置；和控制器(5)，根据由位置检测单元(23)检测的旋转位置来控制用于产生放电的功率。
公开/授权文献:
- CN102227514A 溅射装置、溅射方法和电子器件制造方法 公开/授权日：2011-10-26