![利用高硅萤石粉生产低硅干法氟化铝的生产方法](/CN/2011/1/26/images/201110131199.jpg)
基本信息:
- 专利标题: 利用高硅萤石粉生产低硅干法氟化铝的生产方法
- 专利标题(英):Method for producing low silicon dry-method aluminum fluoride by using high silicon flousper powder
- 申请号:CN201110131199.8 申请日:2011-05-19
- 公开(公告)号:CN102211784B 公开(公告)日:2013-06-19
- 发明人: 柴炯 , 刘献力 , 王勇 , 毕建华 , 李刚
- 申请人: 山东昭和新材料科技股份有限公司
- 申请人地址: 山东省淄博市桓台县邢家镇贵和工业园内
- 专利权人: 山东昭和新材料科技股份有限公司
- 当前专利权人: 山东昭和新材料科技股份有限公司
- 当前专利权人地址: 山东省淄博市桓台县邢家镇贵和工业园内
- 代理机构: 青岛发思特专利商标代理有限公司
- 代理人: 耿霞
- 主分类号: C01F7/50
- IPC分类号: C01F7/50
摘要:
本发明属于氟化铝生产领域,具体涉及一种利用高硅萤石粉生产低硅干法氟化铝的生产方法,包括氟化氢气体的制备、氟化氢气体的净化以及氟化氢气体与氢氧化铝反应制备干法氟化铝。本发明的优点在于通过技术改进和工艺调整将萤石中SiO2质量含量提高到1.2~1.7%,仍然能够生产出合格的氟化铝。
公开/授权文献:
- CN102211784A 利用高硅萤石粉生产低硅干法氟化铝的生产方法 公开/授权日:2011-10-12