基本信息:
- 专利标题： 三氯硅烷制造装置
- 专利标题（英）：Apparatus for producing trichlorosilane
- 申请号：CN201110052378.2 申请日：2011-03-02
- 公开(公告)号：CN102190304B 公开(公告)日：2015-04-15
- 发明人： 三宅政美 , 水岛一树 , 斋木涉 , 村上直也
- 申请人： 三菱综合材料株式会社
- 申请人地址： 日本东京
- 专利权人： 三菱综合材料株式会社
- 当前专利权人： 三菱综合材料株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京
- 代理机构： 北京德琦知识产权代理有限公司
- 代理人： 齐葵; 王诚华
- 优先权： 2010-050381 2010.03.08 JP
- 主分类号： C01B33/107
- IPC分类号： C01B33/107
摘要：
本发明提供一种三氯硅烷制造装置，其简化了抑制反应室内的加热器表面的最高温度的同时增大反应室内的传热面积且能够以高的热效率加热供给气体的结构，且装配及检查等作业性优异。其具备：反应室(101)，供给原料气体而生成包含三氯硅烷和氯化氢的反应气体；多个加热器(20)，形成有在反应室(101)内沿上下方向设置并加热原料气体的发热部(21)；多个电极(23)，连接于这些加热器(20)的基端部(22)；及多个辐射板(24)，设置于加热器(20)的发热部(21)彼此之间。
公开/授权文献:
- CN102190304A 三氯硅烷制造装置 公开/授权日：2011-09-21