基本信息:
- 专利标题： 存储元件和存储装置
- 专利标题（英）：Memory component and memory device
- 申请号：CN201110005533.5 申请日：2011-01-12
- 公开(公告)号：CN102185101A 公开(公告)日：2011-09-14
- 发明人： 保田周一郎 , 荒谷胜久 , 大场和博 , 清宏彰
- 申请人： 索尼公司
- 申请人地址： 日本东京
- 专利权人： 索尼公司
- 当前专利权人： 索尼公司
- 当前专利权人地址： 日本东京
- 代理机构： 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司
- 代理人： 陈桂香; 武玉琴
- 优先权： 2010-009457 2010.01.19 JP
- 主分类号： H01L45/00
- IPC分类号： H01L45/00 ; H01L27/24
摘要：
本发明公开了存储元件和存储装置。所述存储元件包括依次设置的第一电极、存储层和第二电极。其中，所述存储层包括：高电阻层，所述高电阻层的阴离子成分内含有碲(Te)作为主要成分，并且所述高电阻层形成在所述第一电极侧；以及离子源层，所述离子源层含有至少一种金属元素且含有由碲(Te)、硫(S)和硒(Se)组成的组中的至少一种硫族元素，并且所述离子源层形成在所述第二电极侧。所述存储装置包括多个上述存储元件且包括用于选择性地向所述多个存储元件施加电压脉冲或电流脉冲的脉冲施加部。本发明的存储元件及存储装置能够改善擦除特性和写入保持特性，并且对于多次写入/擦除操作能够减小擦除状态中的电阻值间的差异。
摘要（英）：
A memory component includes: a first electrode; a memory layer; and a second electrode in this order, wherein the memory layer includes a high resistance layer which includes tellurium (Te) as the chief component among anion components and is formed on the first electrode side; and an ion source layer which includes at least one kind of metal element and at least one kind of chalcogen element among tellurium (Te), sulfur (S) and selenium (Se) and is formed on the second electrode side.
公开/授权文献:
- CN102185101B 存储元件和存储装置 公开/授权日：2014-11-26