基本信息:
- 专利标题： 双端纳米管器件和系统及其制作方法
- 专利标题（英）：Two-terminal nanotube devices and systems and methods of making same
- 申请号：CN201110051659.6 申请日：2006-05-09
- 公开(公告)号：CN102176456A 公开(公告)日：2011-09-07
- 发明人： F·郭 , M·梅恩霍德 , S·L·孔瑟科 , T·鲁克斯 , X·M·H·黄 , R·斯瓦拉贾 , M·斯特拉斯伯格 , C·L·伯廷
- 申请人： 南泰若股份有限公司
- 申请人地址： 美国马萨诸塞州
- 专利权人： 南泰若股份有限公司
- 当前专利权人： 南泰若股份有限公司
- 当前专利权人地址： 美国马萨诸塞州
- 代理机构： 上海专利商标事务所有限公司
- 代理人： 钱慰民
- 优先权： 60/679,029 2005.05.09 US; 60/692,891 2005.06.22 US; 60/692,918 2005.06.22 US; 60/692,765 2005.06.22 US; 11/280,786 2005.11.15 US
- 分案原申请号： 2006800249395 2006.05.09
- 主分类号： H01L27/112
- IPC分类号： H01L27/112 ; H01L21/8239 ; G11C13/00 ; G11C17/16
A two terminal switching device includes first and second conductive terminals and a nanotube article. The article has at least one nanotube, and overlaps at least a portion of each of the first and second terminals. The device also includes a stimulus circuit in electrical communication with at least one of the first and second terminals. The circuit is capable of applying first and second electrical stimuli to at least one of the first and second terminal(s) to change the relative resistance of the device between the first and second terminals between a relatively high resistance and a relatively low resistance. The relatively high resistance between the first and second terminals corresponds to a first state of the device, and the relatively low resistance between the first and second terminals corresponds to a second state of the device.
公开/授权文献:
- CN102176456B 双端纳米管器件和系统及其制作方法 公开/授权日：2014-07-30
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/04 | ..其衬底为半导体的 |
| ------------H01L27/06 | ...在非重复结构中包括有多个单个组件的 |
| --------------H01L27/105 | ....包含场效应组件的 |
| ----------------H01L27/112 | .....只读存储器结构的 |