基本信息:
- 专利标题： 降低大功率半导体激光器发散角的窄波导结构
- 专利标题（英）：Narrow waveguide structure for reducing angle of divergence of high-power semiconductor laser
- 申请号：CN201110064481.9 申请日：2011-03-17
- 公开(公告)号：CN102163804A 公开(公告)日：2011-08-24
- 发明人： 祁琼 , 熊聪 , 王俊 , 郑凯 , 刘素平 , 马骁宇
- 申请人： 中国科学院半导体研究所
- 申请人地址： 北京市海淀区清华东路甲35号
- 专利权人： 中国科学院半导体研究所
- 当前专利权人： 中国科学院半导体研究所
- 当前专利权人地址： 北京市海淀区清华东路甲35号
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理人： 汤保平
- 主分类号： H01S5/20
- IPC分类号： H01S5/20 ; H01S5/223
摘要：
本发明一种降低大功率半导体激光器发散角的窄波导结构，包括：一衬底；一N型限制层，该N型限制层制作在衬底上；一N型波导层，该N型波导层制作在N型限制层上；一量子阱层，该量子阱层制作在N型波导层上；一P型波导层，该P型波导层制作在量子阱层上；一P型限制层，该P型限制层制作在P型波导层上。
摘要（英）：
The invention provides a narrow waveguide structure for reducing an angle of divergence of a high-power semiconductor laser, comprising a substrate, an N-type limiting layer, an N-type waveguide layer, a quantum well layer, a P-type waveguide layer and a P-type limiting layer, wherein the N-type limiting layer is formed on the substrate; the N-type waveguide layer is formed the N-type limiting layer; the quantum well layer is formed on the N-type waveguide layer; the P-type waveguide layer is formed on the quantum well layer; and the P-type limiting layer is formed on the P-type waveguide layer.